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○窒化物半導体デバイス向けの高品質、長寿命のAlN基板の作製装置、技術

整理番号 1019 特許状況 特許取得
概要 窒化物半導体デバイス用のAlN基板向けに、高品質のAlN系III族窒化物結晶を作製可能で、かつ長期寿命を維持できる装置を開発しました。HVPE法によりAlN系のIII族窒化物結晶の厚膜成長を行う場合、基板を1200℃以上の高温加熱が必要ですが、反応管の石英管は1200℃以上の加熱では劣化します。 本技術のHVPE法においては、
①ハロゲン化物の生成は、反応管全体を加熱する第1反応ゾーンで行い、
②種結晶の加熱は第2反応ゾーンにおいて局所的加熱手段によって行います。
即ち、加熱が必要な種結晶のみを選択的、優先的に加熱し、第2反応ゾーンにおいては反応管を直接的に加熱しないので、第2反応ゾーンにおける石英管が破損することがなくなり、従って、結晶品質のよいAlN系III族窒化物結晶の形成と、当該結晶の作製装置の長寿命化との両立が実現できます。
窒化物半導体の開発、紫外光源分野への利用が期待されます。
キーワード:HVPE法、AlN系のIII族窒化物結晶、加熱手段、作製装置
注)HVPE法:半導体向け結晶の厚膜作製方法の一つです。AlN系のIII族窒化物結晶の場合は、III族元素の固体源とハロゲン化水素との反応により生成させたハロゲン化物気体を、NH3などの窒素元素を含む気体と反応させ、III族窒化物を所定の種結晶上に析出させ、さらにエピタキシャル成長させて作製します。
目的 共同研究、ライセンス契約を希望します。
分野 電機・電子・光学、無機材料(セラミクス・金属ほか)





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