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○待機時(光非照射時)の電力消費が小さく、また光照射時のS/N比が大きい受光素子

整理番号 1416 特許状況 特許公開
概要 待機時(光非照射時)の電力消費が小さく、また光照射時のS/N比が大きい受光素子を提供します。高感度化あるいは高S/N化のため、電界効果トランジスタ(FET)を用いた光伝導素子(フォトコンダクティブ素子)がありますが、ゲート電極が金属であるため、素子裏面のサファイア基板側から光を照射する必要があり、基板材料の自由度が低く(透明でなければならない)、基板での光の吸収が生じるため感度が高くできず、さらに基本的には待機時に電流が流れるため消費電力が大きい問題があります。
本技術は、第3族窒化物半導体を用い、紫外線を透過する材料をFETのゲート電極とし、また、電子走行領域を半導体膜同士のヘテロ界面とすることにより上記課題が解決することを見出したものです。即ち、基板上に第3族窒化物半導体からなるチャネル層とチャネル層とは異なる組成の第3族窒化物半導体からなる電子供給層とを有する電界効果トランジスタで、紫外線が透過する材料をゲート電極に用いたものです。
キーワード:電界効果トランジスタ(FET)、待機時(光非照射時)の電力消費、光照射時のS/N、受光素子
目的 共同研究、ライセンス契約を希望します。
分野 資源・環境・エネルギー、電機・電子・光学





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