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○半導体基板の高効率・高精度加工を実現する革新的高機能研磨技術

整理番号 1385 特許状況 特許取得
概要 炭化珪素やサファイアのような難加工材を、高効率で、且つ高品位の面に研磨可能な研磨方法を提供します。炭化珪素(SiC)や単結晶サファイア(Al2O3)等の結晶材料は、優れた硬度を持ち、薬品に対する耐性が高い特性を有する反面、機械的、化学的に極めて安定な材料特性から、一般的に数十時間の長時間加工が必要で、また加工が極めて難しく、高い品位の研磨面が得られない問題がありました。
本技術では、酸素を含む加工雰囲気の圧力を大気圧よりも高く設定した加工雰囲気の中で、光触媒を含むスラリーを用いて、紫外線を照射しながら被加工物を研磨しますので、SiCやサファイアのような難加工材を対象とする場合でも、高効率、且つ、高品位での研磨を可能にしました。 半導体製造分野をはじめ、難加工材の処理に携わる各分野において広く利用できます。
キーワード:難加工材の処理、炭化珪素(SiC)、単結晶サファイア(Al2O3)、研磨方法、高能率、高品位
目的 共同研究、ライセンス契約を希望します。
分野 電機・電子・光学、機械・プラント・生産ライン





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