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○高性能高圧半導体保護用ヒューズ

整理番号 1383 特許状況 特許取得
概要 新規な高性能高圧半導体保護用ヒューズを提供します。半導体スイッチングデバイスの著しい発達に対し、その半導体装置を保護する保護用ヒューズの開発は常に遅れています。
半導体装置保護用ヒューズにおいては、その遮断実験のオシログラム波形で読まれる遮断電流Iの二乗値(I2dt)を遮断時間0~tで積分したI2t値が定義され、同一定格のヒューズと比較して、I2t値が小さい方が、性能が良いとされます。並列遮断部を構成する遮断部狭小帯の並列数が「P値」として表され、並列遮断部を直列に並べた直列数が「S値」で表され、ヒューズエレメントの設計に際しては、S値とP値は、定格電圧と定格電流それぞれに対応して決定されます。
従来、S値を増加させることでヒューズの遮断性能を向上させることが試みられましたが、現実には、この分割S値を増加させることはできないでおりました。
本技術はこの問題を解決するもので、遮断特性に優れ、I2t値の低減、コスト低減と小型化が可能なヒューズを提供します。 電源やパワーエレクトロニクス機器の電力制御装置や周辺端末機器の分野に利用可能です。
キーワード:半導体保護、ヒューズ、優れた遮断性能、I2t値の低減、コスト低減
注)「I2」はIの二乗を表しています。
目的 共同研究、ライセンス契約を希望します。
分野 電機・電子・光学





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