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○絶縁体表面原子構造解析装置

整理番号 1369 特許状況 特許取得
概要 中性粒子ビームを用いて絶縁体表面の原子構造を計測可能な装置を提供します。絶縁体表面原子構造解析は未知の世界です。何故なら電子線、イオンでは、持つ電荷が試料表面に貯まり後から試料にあたるイオンの電荷と反発しあい、調べることができないからです。
本技術は、中性粒子ビームを用いて絶縁体表面の原子構造の計測を可能にする装置を開発したものです。本装置は、イオン源、中性粒子入射手段、検出手段等を備え、単一な中性ビームを分析試料に入射することにより、分子層の表面第1層から第3層までの薄膜の表面を分析することができます。
本表面分析装置は、プラズマを生成しイオン粒子を放出するイオン源、イオンビームをパルス化する手段、イオンビームから多価イオン粒子を除去する手段、イオン粒子を中性化して中性粒子を生成する手段、分析試料の表面から散乱された中性粒子を検出する散乱粒子検出手段、等から構成されます。
本装置は絶縁体のみならず、導電体、半導体、磁場、電場中におかれた固体表面の原子構造の解析も可能です。
キーワード:中性粒子ビーム、絶縁体、イオン、表面分析装置、表面第3層
目的 共同研究、ライセンス契約を希望します。
分野 センサ・計測・検査





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