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○高誘電率と高絶縁性を有する絶縁材料

整理番号 1364 特許状況 特許取得
概要 高誘電率及び高絶縁性を有する絶縁材料を提供します。CMOS(相補型金属酸化膜半導体)は、微細化することにより低い消費電力を実現できることから、半導体装置で広く用いられていますが、微細化に伴って量子力学的トンネル効果による漏れ電流が増大し、逆に消費電力が増大しますので、近年微細化の限界が生じてきました。
トンネル効果を低減させるために要求される特性は
1)高い誘電率、及び、
2)高い絶縁性の2点です。
本技術は、それらの要求特性に沿うべく、本来絶縁性が高くない半導体である二つの材料YbFeO3 及び、Yb2Ti2O7を混合することにより、高誘電率及び高絶縁性を付与することができた材料です。簡便な操作で得られ、半導体メモリやマイクロプロセッサ等の分野で広く利用できます。
キーワード:CMOS(相補型金属酸化膜半導体)、高誘電率、高絶縁性、絶縁材料、トンネル効果、YbFeO3、Yb2Ti2O7
目的 共同研究、ライセンス契約を希望します。
分野 電機・電子・光学、無機材料(セラミクス・金属ほか)





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