現在地 :  ホーム > シーズを探す > 電機・電子・光学 > ○積層構造、超LSI配線板の製造方法

○積層構造、超LSI配線板の製造方法

整理番号 1191 特許状況 特許取得
概要 超LSI(ULSI)におけるケイ素化合物系低誘電率材料からなる基材、バリア層及び配線層の相互の密着性に優れた積層構造、及びこの構造を適用した超LSI配線板の形成方法を提供します。ULSI内の金属配線は主にバリア層と銅配線から構成され、超LSIの高容量化と製造コストの低減の要求に伴い、配線構造の微細化と製造工程の簡略化が望まれる一方、トレンチ内部への欠陥が無い銅配線層の形成が求められている。
本技術は、ケイ素化合物系低誘電率材料の基材上に、無電解めっきにより形成されたバリア層を介して無電解銅めっき層が積層された積層構造で、簡単な工程で密着性の良好なバリア層、配線層等に適用される無電解銅めっき層を全てウエットプロセスにて形成可能です。
ケイ素化合物系低誘電率材料の基材、バリア層、及び配線層等の無電解銅めっき層が、相互に強固に密着した積層構造を得ることができりことから、超LSIの銅配線、特に、従来に比べて更に狭小化されたトレンチに形成される銅配線の形成構造として好適です。
キーワード:超LSI(ULSI)、積層構造、バリア層、配線層、ケイ素化合物系低誘電率材料、無電解銅めっき
目的 共同研究、ライセンス契約を希望します。
分野 電機・電子・光学、無機材料(セラミクス・金属ほか)





お探しのシーズが見当たらない場合には、下の各種お問合せボタンからご連絡ください。
また、シーズ掲載を希望される場合は、フォームに「シーズ掲載希望」とご記入ください。
COPYRIGHT(C) 2016 NOMURA SECURITIES CO., LTD. ALL RIGHTS RESERVED.