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○無電解銅めっき浴、無電解銅めっき方法及びULSI銅配線形成方法

整理番号 1190 特許状況 特許取得
概要 ULSIのトレンチ埋め込みによるダマシン法銅配線形成において、トレンチ内のボイド等の欠陥の形成を防止しつつ、効率的な埋め込みが可能な無電解銅めっき浴、無電解銅めっき方法、及びULSI銅配線形成方法を提供します。近年のULSIの高速化、高集積化を支えるキーテクノロジーの一つとしてULSI銅配線形成プロセスにおいて、微細化と高アスペクト比化が進むトレンチ内部への欠陥の無いスパーフィリングが求められています。
本技術は、水溶性銅塩、還元剤、錯化剤、めっき析出抑制剤としてポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール又はエチレングリコール-プロピレングリコール共重合体、及びめっき析出促進剤として8-ヒドロキシ-7-ヨード-5-キノリンスルホン酸を含有し、Naイオンを含有しないことを特徴とするものです。
ボイド等の欠陥がなく、トレンチの効率的な埋め込みが可能で、更に微細なトレンチへの均一な付着が難しい乾式法によるシード層形成によらず、全工程を湿式工程で構成でき、より均一且つ確実にトレンチの埋め込みめっきを施すことが可能です。
キーワード:無電解銅めっき浴、ULSI、トレンチ埋め込み、ダマシン法、銅配線形成
注)ダマシン法:層間絶縁膜に溝を形成し、金属を埋め込んで、溝外のメタルを除去する配線形成方法です。多層配線の配線層間を接続するビアと配線となる溝とを加工し、両者同時に金属を埋め込んでから余剰なメタルを除去する方法は、特にデュアルダマシンと呼ばれます。
目的 共同研究、ライセンス契約を希望します。
分野 電機・電子・光学、無機材料(セラミクス・金属ほか)





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