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○読み出しの信頼性の向上と多値応用を可能とする不揮発性半導体記憶装置

整理番号 1107 特許状況 特許公開
概要 読み出しの信頼性の向上と多値応用を可能とする不揮発性半導体記憶装置を提供します。新たなメモリ素子として、RRAM(Resistance Random Access Memory)と呼ばれる不揮発性半導体記憶装置が注目されています。
電極/ペロブスカイト酸化物/電極からなる構造において、上下電極間に電圧を印加することで生じる抵抗比は電極材料の変更によって調整され、大きな比を得難かったメモリ効果の発現或いは促進方法が確立されておらず、メモリ素子としての大容量化を妨げる要因となっています。
本技術は、電極A/酸化物/電極B構造を有する抵抗変化型メモリ(ReRAM)を形成する際の電極A、B及び酸化物層に用いる材料構成と、構造作製後にメモリ効果を発現又は促進するための処理方法です。
従来の抵抗変化型半導体記憶装置に比べて、高抵抗と低抵抗の比を大きくでき、従って読み出しの信頼度が向上し、多値応用に有利で、また、半導体ウエハ面内の素子間のばらつきを低減し、ひいては大容量化を実現することができます。
キーワード:メモリ素子、不揮発性半導体記憶装置、高抵抗状態、低抵抗状態、抵抗値の比
目的 共同研究、ライセンス契約を希望します。
分野 電機・電子・光学





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